国产8英寸SiC设备获重大突破!-天博体育官方平台入口

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近日,晶盛机电表示已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备。

Source:晶盛机电

8英寸碳化硅晶圆的边缘损耗更小、可利用面积更大,未来通过产量和规模效益的提升,成本有望降低60%以上。为未来碳化硅材料大规模应用提供低成本的先决条件。

晶盛机电称,8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8英寸碳化硅外延生产,地位 公开6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上,解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。

Source:晶盛机电

公司为宜 违背子公司晶瑞的8 英寸衬底基础上,已实现8 英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试,外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内,达到行业领先水平。为国内碳化硅行业技术、产能升级提供充分的设备保障。

晶盛机电战略定位先进材料、先进装备市场,围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备,业务同时延伸至化合物半导体材料领域。

碳化硅方面,据此前报道,晶盛机电8英寸N型SiC衬底将小批量生产;公司已与客户A形成采购意向(公司公告),2022年-2025年将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23万片;计划鳞集 拾零宁夏银川建设年产40万片6英寸以上导电+绝缘型碳化硅衬底产能,计划于2022年试生产。

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